CMRR 和SVR

共模抑制比(CMRR)描述了输入失调电压VIO 与输入共模电压VICM 之间的关系。共模抑制

比被定义为VIO 与VICM的变化比，大多数情况下用对数比例表示。

CMRR [dB] = 20x Log (DVICM /DVIO)

在不同的输入共模电压(0V 和VCC)下测量两个输入失调电压值，然后用这两个值计算

CMRR。对于TS302x 系列比较器，当电源电压VCC= 2V 时，CMRR 典型值是67dB；当电

源电压VCC= 5V 时，CMRR是72dB。

电源电压抑制比(SVR)是另一个描述了输入失调电压VIO 与电源电压之间关系的重要参数，

修改电源电压会或多或少影响输入差分晶体管对的偏流，这表明输入失调电压也将要进行

细微的修改，电源电压抑制比SVR 是测量这种影响大小的方法。

SVR [dB] = 20x Log (DVCC /DVIO)

在VCC= 2V 到VCC= 5V 的电源电压变化范围内，TS302x 的SVR 典型值是69dB。

快速比较器原理和印刷电路板设计

比较器是性能非常强大的用途很广的电子器件，不过，应用设计工程师必须检查正常

工作所需的特殊标准，所有的基本原则对于高速器件都是通用的，但是，比较器可能是这

些器件中最灵敏的产品。

任何高速比较器实现最好的性能必须具有正确的产品设计和合理的印刷电路布局，

输入或地线上的大电容可能会限制高速电路发挥最大的性能，为了最大限度缩短完整电路

的传播延迟，就必须最大限度减少从信号源到比较器输入引脚的线路电阻。信号源电阻以

及输入电容和寄生电容构成一个阻容滤波器，这个滤波器会延长输入引脚上的电压转换时

间，并降低高频信号的振幅。

在输出转换过程中，当比较器开关转换时，电源电流可能会达到很高，峰值电流可能

会在电源线路上产生电压降和噪声。因此，采用旁通电容器来确保电源阻抗很低是非常重

要的。旁通电容器可以给比较器提供局部能量，从而弥补在开关过程中不断增加的功耗需

求。最佳的选择是采用几个电容值不同的电容器，通常情况下，一个100nF的陶瓷电容并联

一个1uF电容对于TS302x系列产品是一个最佳的选择。1uF电容对线路纹波起到缓冲作用，

而100nF电容在比较器开关操作时提供电能。电容器特别是100nF电容应尽可能安装在比较

器电源引脚的附近。

在高速电路中，快速瞬变会在线路上产生电压变化，在DC模式下也可能出现相同的

情况。为了降低这种影响，我们通常使用一个接地面来减少电路内可能出现的电压变化。

通过给电流提供一个更适合的通道，接地面有利于最大限度地降低电路板内的寄生电容效

应。在接地面上覆一条高频信号迹线，回流正好从信号线下返回。接地面断路会提高接地

面电感，使更高频信号的处理效率变低。

简单的比较器配置

图6所示是采用一个比较器的基本电路。输入信号施加在同相引脚上。电阻R1和R2组

成的分压器设定使比较器改变状态的阈压和转换点：VTH= Vcc * R1 / (R1+R2)。

6

1uF

100nF

100nF

R1

R2

OUT

CC V

IN V R1||R2

图6: 电压比较器

因为没有反馈电路，从输出漂移到输入（通常是同相输入）的电容或耦合到地线（同

相输入通常连接地线）的输出电流，可能会导致比较器电路变得不稳定。如果保持高阻抗

节点，注意上文描述的电路板布局和接地设计，将有助于把这两种耦合作用降到最低限

度。